百科释义
报错Epitaxy（外延）为晶体学领域术语，指在单晶基底上沿特定取向生长同结构晶体薄层的过程，其词源希腊语意为“排列在表面”，英文发音为/ˈepɪtæksi/。该技术基于晶体结构匹配原理，通过化学气相沉积（CVD）、液相外延（LPE）等方法实现，广泛用于半导体器件与光电材料制造。外延技术分为同质外延和异质外延两类，可精确控制晶体层厚度与质量，应用于硅晶圆加工、化合物半导体开发等领域。典型案例包括Formosa Epitaxy的光电材料生产及硅外延工艺在集成电路中的使用。伴随工艺进步衍生出分子束外延、图形外延等技术变体，并涉及晶格匹配、应变层优化等关键技术环节。该术语形成于20世纪中叶晶体学发展期，... 查看百科
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