百科释义
报错tRAS是动态随机存取存储器（DRAM）的核心时序参数之一，全称为Active to Precharge Delay（行激活到预充电延迟）。该参数描述存储单元从行激活状态切换到行预充电状态所需的最小时钟周期数，直接影响内存读写操作的整体效率。根据2018年内存技术资料显示，tRAS参数与CL（列地址选通潜伏时间）、tRCD（行到列延迟）及tRP（行预充电时间）共同构成内存时序的四维调节体系。工程师可通过主板BIOS对该参数进行手动优化调节，但过低设置会导致数据存取错误，过高则会增加内存延迟。 查看百科
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