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gan

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氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙较宽,为3.4eV,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。其次,氮化镓具有优良的电子迁移率和电子饱和漂移速度,这使得它在射频和微波电子器件中具有出色的性能,例如5G通信系统中的射频功率放大器。日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教... 查看百科

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