百科释义
报错锗晶体是由锗元素形成的规则固态结构，原子呈面心立方晶胞排列，与金刚石结构相似，具有固定熔点（937.4℃）、高硬度（6.0-6.5）及各向异性等特性。其半导体性能表现为高电子迁移率与高空穴迁移率，通过掺杂三价或五价元素可形成P型或N型半导体。常温下化学性质稳定，高温下易氧化生成二氧化锗，主要应用于晶体管、红外光学透镜、光纤通信及航空航天材料等领域。1886年锗元素被发现后，1947年贝尔实验室利用锗晶体制造首个晶体管，推动早期半导体技术发展。1957年中国实现煤烟灰提锗及区熔法制备单晶，1965年提纯至8N-9N纯度并量产晶体管。随着硅材料兴起，锗晶体转向高频器件、红外光学等特种应用，悬浮坩埚... 查看百科
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